
SK하이닉스, 소비전력 25% 줄인 모바일용 D램 개발
SK하이닉스가 세계 최초로 모바일용 D램에 'HKMG' 공정을 도입한 LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X) 개발을 완료하고 최근 판매를 시작했다. HKMG(High-K Metal Gate)는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정으로 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 장점이 있다. 이 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초