전기·전자

SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 '1c DDR5' 개발

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 이로써 회사는 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정기술을 세상에 내놓게 됐다. SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"며 "연내 1c DD

SK하이닉스, 인텔 '사파이어 래피즈' D램 호환 인증

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 인텔이 최근 출시한 신형 CPU에 적용할 수 있다는 인증을 받았다고 12일 밝혔다. 1a DDR5는 최첨단 EUV 노광공정이 적용된 메모리로 10나노급 4세대 D램이 인텔의 인증 받은 건 SK하이닉스가 세계 최초다. 서버용 D램은 중앙처리장치(CPU)와 결합돼 데이터센터에 들어가는 메모리로 그동안 이 시장의 주력제품은 DDR4였다. 인텔은 지난 10일 처음으로 DDR5를 지원하는 신형 C

"30GB 1초에 다운로드"···삼성전자, 12나노급 D램 개발

삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발했다. 이 제품은 최근 AMD와 함께 호환성 검증도 마쳤다. 21일 삼성전자에 따르면 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고 회로 특성 개선을 위한 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다. 또 멀티레이어 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노

SK하이닉스, 세계 최고속 서버용 D램 개발

SK하이닉스가 세계 최고속 서버용 D램 제품인 'DDR5 MCR DIMM'의 샘플 개발에 세계 최초로 성공했다. 이번 제품은 동작 속도가 초당 8Gb(기가비트) 이상으로 초당 4.8Gb인 서버용 DDR5보다 속도가 80% 넘게 빨라졌다. 이번 MCR DIMM 개발에는 DDR5의 동작 속도를 높이기 위해 새로운 개념이 도입됐다. 그동안 DDR5의 속도는 D램 단품의 동작 속도에 좌우된다는 것이 일반적인 인식이었다. 하지만 이번 제품에서는 D램 단품이

삼성·SK "내년 DDR5 커진다"···한 목소리

삼성전자와 SK하이닉스가 메모리 D램 제품인 'DDR5'를 주목하고 나섰다. 노종원 SK하이닉스 사업 담당 사장은 3분기 실적 발표 이후 "DDR5 비중을 늘릴 것"이라며 "서버용 비중이 내년 말 30% 이상으로 늘 것 같다"고 말했다. 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장도 "내년에는 데이터 증설이 확대되고 신규 CPU(중앙처리장치)를 위한 DDR5 채용은 늘어날 것"이라고 예상했다. 삼성전자와 SK하이닉스 실적에 '빨간불'이 들어온 와중에 양

SK하이닉스, 최고 속도 DDR5 샘플 공급···"1초에 영화 10편"

SK하이닉스는 최근 업계 최초로 DDR5 6400Mbps(초당 메가비트) 속도의 32GB(기가바이트) UDIMM, SODIMM를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다. UDIMM은 데스크탑 및 노트북 등 PC에서 사용되는 메모리 모듈을 통칭하는 개념이며 SODIMM은 PC에서 사용되는 초소형 모듈이다. SK하이닉스는 지난 8~9월 10나노급 4세대(1a) 미세공정이 적용된 DDR5 모듈 제품에 대해 고객사 인증을 완료했다. 이를 통해, 다가